专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]n晶体硅太阳电池及其制备方法-CN201710188475.1有效
  • 麦耀华;陈兵兵;葛坤鹏;沈艳娇;许颖;陈剑辉 - 河北大学
  • 2017-03-27 - 2019-03-12 - H01L31/068
  • 本发明提供了一种n晶体硅太阳电池及其制备方法。所述n晶体硅太阳电池的背场是通过n晶体硅和n晶体硅背面的功函材料来实现的;功函材料为功函金属或功函合金;功函金属可以为、锗、锂、钕或等,功函合金可以为钕合金、锗合金、锂合金、锗锂合金或锗锂合金等。将功函金属或功函合金制作在n晶体硅的背面,可实现能带弯曲,形成“n‑n+”高低结,进而可驱赶空穴,增强电子的传输功能,使电池获得的开路电压及短路电流,提高电池的效率。而且,制备过程简单,成本,无需高温,无需后退火处理,还不会给硅片带来损伤,也不会对环境造成污染。
  • 晶体太阳电池及其制备方法

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